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绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种功率晶体管，它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的高速开关和电压驱动特性以及低导通电阻（低饱和电压） ）双极晶体管的特性。如图1所示，IGBT的原理图符号显示了具有MOS栅极结构的双极晶体管。
IGBT结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，具有低压控制特性（MOSFET）和高电流驱动能力（双极型晶体管）。它具有较低的开关损耗和较高的开关速度，适用于高频应用。同时，由于使用绝缘栅极层隔离了栅极和其他部分，提高了绝缘性能和可靠性。
IGBT通常由一个PN结和一个N沟道组成，具有三个端口：集电极、发射极和栅极。当栅极施加正向电压时，会形成一个PNP型结构，使集电极和发射极之间的PN结极化，从而导通。当栅极不再施加正向电压时，PNP结会恢复为开路状态，IGBT停止导通。
