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    SKM200GAL126DKLD 西门康 IGBT 电子元件 igbt模块 全新原装

    价格 1.00对比
    发货 江苏苏州市
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    上海萱鸿电子科技有限公司

    企业会员第1年
    资料未认证
    保证金未缴纳
    型号
    SKM200GAL126DKLD
    用途
    S开关
    封装外形
    螺丝型
    加工定制
    极间电容
    pF
    开启电压
    1260V
    夹断电压
    1260V
    最大漏极电流
    200A
    低频噪声系数
    dB
    最大散热功率
    mW
    产品认证
    3C
    数量
    1000
    封装
    标准封装
    批号
    23+
    QQ
    869217999
    品牌
    西门康

    上海萱鸿电子科技有限公司欢迎您的到来,我司主要经营代理原装进口电子元器件:INFINEON(英飞凌),SEMIKRON(西门康),IXYS(艾赛斯),SANREX(三社),FUJI(富士),SIEMENS(西门子),BUSSMANN(巴斯曼),WESTCODE(西玛),TOSHIBA(东芝)IGBT可控硅/晶闸管/熔断器等,大量现货欢迎来电咨询。询价必回,量大价优!


    公司本着“保证,客户至上”的企业经营理念,“诚信经营、信誉为本”的经营宗旨。坚信客户永远是公司发展的源泉,坚持以市场为导向,以完善的售后服务为承诺,我们积极参与推广以及行业交流活动,公司在长期的发展过程中以过硬的产量的优势和国内许多大型的公司都建立了长期良好的合作伙伴关系,我们也热诚欢迎国内外客户来我司考察,参观及技术交流,广纳博交的企业精神,愿与社会各界朋友精诚合作,共创美好家园!



    绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种功率晶体管,它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的高速开关和电压驱动特性以及低导通电阻(低饱和电压) )双极晶体管的特性。如图1所示,IGBT的原理图符号显示了具有MOS栅极结构的双极晶体管。



    IGBT结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,具有低压控制特性(MOSFET)和高电流驱动能力(双极型晶体管)。它具有较低的开关损耗和较高的开关速度,适用于高频应用。同时,由于使用绝缘栅极层隔离了栅极和其他部分,提高了绝缘性能和可靠性。



    IGBT通常由一个PN结和一个N沟道组成,具有三个端口:集电极、发射极和栅极。当栅极施加正向电压时,会形成一个PNP型结构,使集电极和发射极之间的PN结极化,从而导通。当栅极不再施加正向电压时,PNP结会恢复为开路状态,IGBT停止导通。



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